DDR 开发指南
本文档基于瑞芯微官方文档 Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN.pdf（V2.5.0, 2024-06-07）整理，介绍 Rockchip 平台 DDR 开发中的常见问题、调试方法、颗粒验证流程、眼图工具、带宽工具和 ECC 功能。
- 芯片平台：所有 Rockchip 芯片
- 内核版本：所有内核版本
- 读者对象：技术支持工程师、软件开发工程师
一、DDR 开发 FAQ
1.1 如何看懂 DDR 打印信息
DDR 打印信息包括 loader 中的打印和 kernel 中的打印。
Loader 中的打印
DDR Version 1.05 20170712 // DDR 初始化代码版本信息，从这行开始进入 DDR 初始化
In SRX // 有 SRX 说明是热重启，没有说明是冷开机（部分芯片无此功能）
Channel a: DDR3 400MHz // Channel a 信息
Bus Width=32 Col=10 Bank=8 Row=15 CS=1 Die Bus-Width=16 Size=1024MB
Channel b: DDR3 400MHz // Channel b 信息
Bus Width=32 Col=10 Bank=8 Row=15 CS=1 Die Bus-Width=16 Size=1024MB
Memory OK // Channel a 自测结果（报错说明焊接有问题）
Memory OK // Channel b 自测结果
OUT // 退出 DDR 初始化代码
Kernel 中的打印（kernel 3.0 / 3.10）
[ 0.528564] DDR DEBUG: version 1.00 20150126
[ 0.528690] DDR DEBUG: Channel a:
[ 0.528701] DDR DEBUG: DDR3 Device
[ 0.528716] DDR DEBUG: Bus Width=32 Col=10 Bank=8 Row=15 CS=1 Total Capability=1024MB
...
kernel 3.10 还会有 DDR 变频模块的输出：
[ 1.473637] ddrfreq: verion 1.2 20140526
[ 1.473653] ddrfreq: normal 396MHz video_1080p 240MHz video_4k 396MHz ...
[ 1.473661] ddrfreq: auto-freq=1 // 负载变频功能是否开启
[ 1.473673] ddrfreq: auto-freq-table[0] 240MHz
[ 1.473683] ddrfreq: auto-freq-table[3] 528MHz
kernel 3.10 以后的版本，kernel 中不再有 DDR 容量信息的打印。
1.2 如何将 RK 给的 DDR bin 合成完整可用的 loader
- 将 DDR bin 放在 U-Boot 工程的
rk/rkbin/bin/对应目录/下 - 删除原有的 DDR bin 文件
- 将新的 DDR bin 改名为删除掉的名字
- 编译 U-Boot，生成对应的 loader 文件
- 根据 DDR bin 打印的串口信息，确认 loader 已经更新正确
各平台 DDR bin 对应目录：
| 芯片平台 | 路径 |
|---|---|
| RK3576 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3576_ddr_lp4_XXXXMHz_lp5_XXXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3588 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3588_ddr_lp4_XXXXMHz_lp5_XXXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3568 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3568_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3566 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3566_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3562 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3562_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3528 | rk/rkbin/bin/rk35/rk3528_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| RK3399 | rk/rkbin/bin/rk33/rk3399_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| PX30 | rk/rkbin/bin/rk33/px30_ddr_333MHz_vX.XX.bin |
| RV1126 | rk/rkbin/bin/rv11/rv1126_ddr_XXXMHz_vX.XX.bin |
| 其他 | 按类似命名规则放在 rk/rkbin/bin/ 目录下 |
1.3 DDR bin 包含 4 个频率点的平台
以下平台的 DDR bin 文件包含 4 个 DDR 频率，kernel 中只能使用这 4 个频率：
| 芯片平台 | 包含频率 (MHz) |
|---|---|
| RK3528 | 324, 528, 780, 文件名中的频率 |
| RK3562 | 324, 528, 780, 文件名中的频率 |
| RK3566 | 324, 528, 780, 文件名中的频率 |
| RK3568 | 324, 528, 780, 文件名中的频率 |
| RK3576 LP4/LP4X | 528, 1068, 1560, 文件名中的频率 |
| RK3576 LP5/LP5X | 534, 1320, 1968, 文件名中的频率 |
| RK3588 LP4/LP4X | 528, 1068, 1560, 文件名中的频率 |
| RK3588 LP5/LP5X | 534, 1320, 1968, 文件名中的频率 |
| RV1126 | 328, 528, 784, 文件名中的频率 |
从 loader 串口 log 中可查看 4 个频率点：
change to F1: 528MHz
change to F2: 1068MHz
change to F3: 1560MHz
change to F0: 2112MHz
也可使用 rkbin/tools/ddrbin_tool 读取当前 4 个频率。
1.4 DDR bin 特殊说明
带 eyescan 后缀的 bin：用于合成能获取 DDR 信号二维眼图的 Loader。
- 例：
rk3568_ddr_1560MHz_eyescan_v1.16.bin
带 ultra 后缀的 bin：用于电子书超级待机，搭配电子书硬件使用。
带 tb 后缀的 bin：用于快速开机（如 RV1126 TPL、RV1106）。
RK3528 搭配 PCB 使用：
rk3528_ddr_1056MHz_4BIT_PCB_v1.07.bin— 4BIT DDR 设计rk3528_ddr_1056MHz_2L_PCB_v1.07.bin— 2 层 PCB 设计
1.5 修改 DDR bin 文件
可通过以下工具修改 DDR bin，达到修改 DDR 初始化参数、频率、串口等功能：
- rk_ddrBin_tool_windows（推荐）：有界面的工具，容易上手
- rkbin/tools/ddrbin_tool：命令行模式，说明文档见
rkbin/tools/ddrbin_tool_user_guide.txt
常见修改：改 DDR 频率、改串口号、改波特率。
1.6 如何修改 U-Boot 中的 DDR 频率
RK3576 / RK3588
这些平台在 loader 初始化 DDR 时，会一起初始化 4 个 DDR 频率，默认以最高频（F0）退出 loader。
修改方法：通过"修改 DDR bin 文件"所述工具，找到 boot_fsp 参数，选择以 F0/F1/F2/F3 的哪个频率作为退出 loader 的频率。
1.7 如何 enable/disable kernel 中的 DDR 变频功能
Kernel 4.4 及以后版本
找到 dts 中最终的 dmc 节点，修改 status：
&dmc {
status = "okay"; /* enable DDR 变频 */
// status = "disabled"; /* disable DDR 变频 */
};
通过 dts dmc 节点 enable DDR 变频后，需根据实际硬件电源方案检查 DMC 节点下的 center-supply 和 mem-supply 属性：
- RK3576 默认：
center-supply = <&vdd_ddr_s0>、mem-supply = <&vdd_logic_s0> - RK3588 默认：
center-supply = <&vdd_ddr_s0>、mem-supply = <&vdd_log_s0>
如果 DMC 节点缺失该属性，会导致 dmc 驱动加载失败，kernel log 如下：
rockchip-dmc dmc: Cannot get the regulator "center"
由于早期代码，dmc 节点依赖于 dfi 节点。如果 dfi 节点为 disabled，也会导致 dmc 节点无效。建议 dfi 节点的 status 保持跟 dmc 一致。
Kernel 3.10
找到 dts 中的 clk_ddr_dvfs_table 节点，修改其 status。
1.8 如何让 kernel 一次 DDR 变频都不运行
- kernel 4.4 及以后版本：只要 disable 掉 dmc 节点即可，一次 DDR 变频都不会运行
- kernel 3.10 / 3.0：需要额外修改代码（详见原文档 1.8 节）
1.9 如何查看 DDR 的容量
简易方法
cat /proc/meminfo | grep MemTotal
MemTotal 会比 DDR 实际容量小一点，往上取到标准容量即可。
详细信息
| 芯片 | loader | kernel |
|---|---|---|
| RK3568/RK3576/RK3588 | 有详细信息 | 没有 |
| RK3399 | 有详细信息 | 没有 |
| RK3288 | 有详细信息 | 有详细信息 |
| 其他 | 有详细信息 | 视版本而定 |
loader 中的 DDR 容量打印必须用串口才能抓到，adb 抓不到。
1.10 修改 DDR 容量
所有 RK 平台的 DDR 容量都是自动识别的，不需要客户配置。此处提供的方法主要用于客户评估性能或评估减少 DDR 容量的影响。
修改位置：./arch/arm/mach-rockchip/param.c
通过修改 param_parse_ddr_mem 函数中的 bank 数组来调整传递给 kernel 的 DDR 容量。
DRAM 容量不能随意改大，因为没有真正的储存器，系统会异常。一般都是改小，用于评估。
1.11 查看 DDR 频率
通过 devfreq（开启 DDR 变频功能时）
cat /sys/class/devfreq/dmc/cur_freq
# 输出如：780000000 （单位 Hz）
通过 clk_summary
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep scmi_clk_ddr
# 或
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep sclk_ddrc
1.12 如何修改 DDR 频率
DDR 频率修改分两种策略：场景变频和负载变频。
场景变频与负载变频的区别
kernel 4.4 及以后版本：
- 场景变频：进入指定场景，若负载变频关闭，DDR 频率变到对应
SYS_STATUS_XXX定义的频率；若负载变频开启，则该频率作为最低频率，再根据 DDR 利用率上下调整 - 负载变频：所有场景都根据负载变频，但保证不低于场景定义的最低频率（SYS_STATUS_NORMAL 例外，完全被负载变频替换）
kernel 3.10：
- 场景变频：进入指定场景，DDR 频率就变到对应频率，不再变化
- 负载变频：仅替换 SYS_STATUS_NORMAL 场景
Kernel 4.4 的 dmc 节点配置
&dmc {
status = "okay";
center-supply = <&vdd_center>;
upthreshold = <40>; // DDR 利用率超过 40% 升频
downdifferential = <20>; // DDR 利用率低于 20% 降频
system-status-freq = <
/* system status freq(KHz) */
SYS_STATUS_NORMAL 800000
SYS_STATUS_REBOOT 528000
SYS_STATUS_SUSPEND 200000
SYS_STATUS_VIDEO_4K 600000
SYS_STATUS_PERFORMANCE 800000
SYS_STATUS_ISP 600000
/* 更多场景... */
>;
auto-min-freq = <200000>; // normal 场景的最低频率
auto-freq-en = <1>; // 1=开启负载变频, 0=关闭
};
kernel 4.4 的频率电压需要匹配 dmc_opp_table 中的 opp-hz。只有频率等于 opp-hz 的才会按该频率运行；小于则向上取；超过最大值则按最大值工作。
DDR bin 含 4 个频率点的平台（RK3576/RK3588/RK3568 等）
这些平台的 kernel dmc 驱动会自动获取 loader 提供的 4 个频率。场景中使用的是宏定义而非具体频率值：
| 宏定义 | 对应频率 | 说明 |
|---|---|---|
DMC_FREQ_LEVEL_HIGH | F0（最高频） | 最高频 |
DMC_FREQ_LEVEL_MID_HIGH | F3 | 次高频 |
DMC_FREQ_LEVEL_MID_LOW | F2 | 次低频 |
DMC_FREQ_LEVEL_LOW | F1 | 最低频 |
1.13 如何修改 DDR 某个频率对应的电压
调试时临时修改（kernel 4.4+）
先对 DDR 定频，然后通过 regulator 节点调整：
cat /sys/kernel/debug/regulator/vdd_ddr_s0/voltage
echo 700000 > /sys/kernel/debug/regulator/vdd_ddr_s0/voltage
各平台需要调整的 regulator：
| 平台 | 调整节点 |
|---|---|
| RK3576 | vdd_logic_s0 和 vdd_ddr_s0 |
| RK3588 | vdd_log_s0 和 vdd_ddr_s0 |
| RK3399 | vdd_center |
| 其他 SOC | vdd_center 或 vdd_logic |
固件中修改（kernel 4.4）
修改 dts 中 dmc_opp_table 节点的 opp-microvolt：
dmc_opp_table: opp-table3 {
compatible = "operating-points-v2";
opp-200000000 {
opp-hz = /bits/ 64 <200000000>;
opp-microvolt = <825000>; // 修改电压，单位 uV
};
opp-800000000 {
opp-hz = /bits/ 64 <800000000>;
opp-microvolt = <900000>;
};
};
1.14 如何关闭 DDR 的负载变频功能，只留场景变频
将 auto-freq-en（或 auto-freq）设置为 0 即可。
1.15 DDR 如何定频
定频常用于问题定位（如排查某个频率下是否稳定）。
Kernel 4.4 及以后版本
方法一：通过 userspace governor
echo userspace > /sys/class/devfreq/dmc/governor
echo 528000000 > /sys/class/devfreq/dmc/userspace/set_freq
方法二：关闭负载变频，只留一个场景频率
echo 0 > /sys/class/devfreq/dmc/auto_freq_enable
1.16 如何查看 DDR 带宽利用率
使用 DDR 带宽工具 rk-msch-probe，详见本文档第五章。
简易方法（kernel 4.4+）：
cat /sys/class/devfreq/dmc/load
1.17 如何测试 DDR 可靠性
常用工具：
- stressapptest（Google）：模拟实际应用场景的内存压力测试
- memtester：内存单元测试工具，覆盖多种测试模式
- DDR 变频测试：在不同频率间切换测试稳定性
详细测试方法见本文档第三章"DDR 颗粒验证流程说明"。
1.18 如何确定 DDR 能运行的最高频率
- 使用 ddrbin_tool 修改 DDR bin 为目标频率
- 合成 loader 并烧写
- 进行 DDR 压力测试（stressapptest + memtester，12 小时以上）
- 如测试通过，可继续提高频率；如不通过，降低频率
1.19 怎么判断 DDR 已进入 self-refresh（自刷新省电模式）
通过 DDR 带宽工具查看 srex 占比，如果接近 100% 说明处于自刷新状态。
1.20 怎么判断 DDR 已进入 auto power-down 省电模式
通过 DDR 带宽工具查看 pdex 占比。
1.21 如何调整 DQ、DQS、CA、CLK 的 de-skew
调整 kernel 中的 de-skew
修改 dts 中 dmc 节点的相关属性，具体属性名因平台而异。
调整 loader 中的 de-skew
通过 ddrbin_tool 工具修改 DDR bin 文件中的 de-skew 参数。
1.22 U-Boot 下运行 DDR 压力测试
stressapptest
U-Boot 下的 stressapptest 命令格式与 Linux 下类似。
memtester
U-Boot 下也可使用 memtester 进行内存测试。
1.23 RK3568 ECC 的使能
RK3568 支持 SideBand ECC（边带 ECC），即通过额外的 DDR 颗粒存放 ECC 数据。
- ECC 能力：SEC/DED（纠错 1bit，发现 2bit 错误）
- 需要额外贴一颗 ECC 颗粒，颗粒类型、Row/Col/Bank 需与 DQ0-31 颗粒一致
- 只要 DDR_ECC_DQ0-7 有贴颗粒，ECC 会自动 enable
1.24 如何在 kernel 获取 DDR ECC 的信息
通过 debugfs 节点获取 ECC 统计信息，具体节点路径因平台而异。
1.25 如何在 kernel 里软件注入 DDR ECC 错误
通过相应的 debugfs 节点或 sysfs 节点注入 ECC 错误，用于验证 ECC 功能。
1.26 如何查看 DDR 厂商 ID
通过 kernel 的 dmcdbg 节点
cat /sys/kernel/debug/dmc/dmcdbg
通过 loader 输出信息
loader 初始化 DDR 时会打印厂商 ID 信息，需通过串口抓取。
厂商 ID 对照表
LPDDR4/LPDDR5 的厂商 ID 对照表请参考原文档。常见厂商：
- 三星（Samsung）
- 海力士（SK Hynix）
- 美光（Micron）
1.27 常见信号相关问题
tINIT3 不满足协议
DDR 初始化时序问题，需要检查硬件设计或调整 DDR 初始化参数。
颗粒 ODT 开启注意事项
ODT（On-Die Termination）的开启需要根据硬件设计和颗粒规格合理配置，不正确的 ODT 设置会影响信号质量。
1.28 高温刷新率（refresh rate）问题
高温下 DDR 漏电流增加，数据保持时间缩短，可能需要提高刷新率。一般 DDR 规格书会定义高温时的刷新要求。
二、DDR 问题排查手册
2.1 怎么确认是不是 DDR 问题
DDR 问题的常见表现：
- 系统随机死机、重启
- 运行内存测试工具（memtester/stressapptest）报错
- 特定负载下（如高带宽应用）出现异常
- 高低温下出现不稳定现象
排查方法：
- 使用 memtester 和 stressapptest 测试内存
- DDR 定频到较低频率后看是否复现
- 提高 DDR 电压后看是否复现
- 查看是否有 ECC 错误（如支持 ECC）
2.2 引起 DDR 问题的几个主要原因
| 类别 | 具体原因 |
|---|---|
| 硬件设计 | PCB 布线（长度匹配、阻抗控制）、电源完整性、接地设计 |
| 焊接问题 | 虚焊、短路、焊接不良 |
| 颗粒问题 | 颗粒本身质量、兼容性问题 |
| 时序参数 | DDR 训练参数不合理、de-skew 不正确 |
| 电源问题 | DDR 电源纹波过大、电压不足、电压动态响应差 |
| 软件配置 | 频率过高、电压不足、驱动配置错误 |
| 信号质量 | 反射、串扰、ISI 等信号完整性问题 |
| 温度 | 高温下时序裕量不足、漏电流增大 |
2.3 解决 DDR 问题的一些手段
- 降低 DDR 频率：如果降低频率后问题消失，说明是频率相关的问题
- 提高 DDR 电压：适当提高电压可增加时序裕量
- 调整时序参数：通过 ddrbin_tool 或软件调整 de-skew、training 参数
- DDR 眼图测试：使用 DQ 眼图工具评估信号质量
- 硬件检查：检查焊接、电源纹波、阻抗等
- 颗粒更换：确认是否为颗粒兼容性问题
三、DDR 颗粒验证流程说明
3.1 总体验证项目
DDR 颗粒验证通常包含以下项目：
- 确认容量正确 — 验证 DDR 容量与设计一致
- 定频拷机 — 在最高频率下长时间运行压力测试
- 变频拷机 — 在不同频率间切换测试稳定性
- reboot 拷机 — 反复重启测试初始化可靠性
- sleep 拷机 — 休眠唤醒测试（部分平台）
测试时间要求：每项 12 小时以上。
测试工具：
stressapptest：Google 内存压力测试工具memtester：内存单元测试工具
3.2 Linux 4.xx DDR 颗粒验证流程
测试固件编译
使能 DDR 变频功能：
&dfi {
status = "okay";
};
&dmc {
status = "okay";
// ...
};
测试环境搭建
- 烧写固件
- 安装测试工具（stressapptest、memtester、ddr_freq_scan.sh）
- （Android）安装捕鱼达人 APK 或其他持续运行的应用
确认颗粒容量
cat /proc/meminfo | grep MemTotal
参考值（略有偏差属正常）：
- 512MB ≈ 533504 kB
- 1GB ≈ 1048576 kB
- 2GB ≈ 2097152 kB
- 4GB ≈ 4194304 kB
定频拷机
# 定频到目标频率
/data/ddr_freq_scan.sh 800000000
# stressapptest 测试（12 小时，申请 1/8 总内存）
/data/stressapptest -s 43200 -i 4 -C 4 -W --stop_on_errors -M 128
# memtester 测试
/data/memtester 128m
stressapptest 结果判断：
- 通过：
Status: PASS - please verify no corrected errors - 失败：
Status: FAIL - test discovered HW problems
memtester 结果判断：
- 正常运行：持续打印各测试项
ok - 出错：自动停止并打印
FAILURE
变频拷机
# 后台运行 memtester
/data/memtester 128m > /data/memtester_log.txt &
# 运行变频脚本
/data/ddr_freq_scan.sh
测试期间屏幕可能因带宽不足出现闪烁，属正常现象。
reboot 拷机
- Android：开启计算器，输入
83991906=，点击 RebootTest - 非 Android：使用
rockchip_test.sh脚本进行 auto reboot test
sleep 拷机
- Android：拔掉 USB 线，计算器中点击 SleepTest
- 非 Android：使用
rockchip_test.sh脚本的 suspend_resume test
四、Rockchip DDR DQ 眼图工具指南
4.1 二维眼图的获取
支持的平台
RK3528、RK3562、RK3566、RK3568、RK3588、RK3576
使用方法
- 使用带
eyescan后缀的 DDR bin 合成 Loader - 进入 maskrom 状态，通过下载工具下载 loader 到板子
- 结果通过串口输出
- loader 扫描完 2D 眼图后会自动停下（下载会提示失败）
使用 eyescan 的 loader 开机无法正常进入系统。测试完成后需要烧写普通 loader 恢复。
输出结果分析
- 每个 step 单位在 log 最开始处打印（单位 fs，即 0.001ps）
margin: rx:22-8,tx:26-32表示读/写方向 setup/hold time 的最小 margin 要求- 眼图中
*为有效相位点，+为默认采样点，-为无效相位点 o表示实际眼图压到了最小 margin 范围内，存在风险- 最终结果：
all result: pass或all result: err
4.2 一维眼图的获取
能用二维眼图的平台尽量用二维眼图（多了 vref 维度）。
支持的平台
RV1109、RV1126、RK3566、RK3568、RK3528、RK3562
使用方法
- 更新 DDR bin 到对应版本（RV1126 ≥ V1.09，RK3568/66 ≥ V1.07）
- U-Boot menuconfig 中开启
Enable ddr test tool - 编译并烧写 U-Boot
- 开机时长按 Ctrl+C 停留在 U-Boot
- 输入命令：
ddr_dq_eye <DDR frequency in MHz>
# 例：ddr_dq_eye 1056
# 留空默认为最高频率
4.3 DDR DQ 最小眼宽限制
满足最小眼宽限制说明 DDR DQ 眼宽大小较为可靠，但不代表 DDR 设计一定没有其他问题，还需根据实际使用需求做进一步可靠性测试。
各平台的最小眼宽限制值请参考原文档对应表格。
五、Rockchip DDR 带宽工具使用说明
5.1 工具获取
工具名：rk-msch-probe_vx.xx
5.2 平台支持
支持 RK 全系列主要平台，使用 -h 查看支持列表。
5.3 参数说明
| 参数 | 说明 |
|---|---|
-c chip_name | 芯片名称，如 rk3568、rk3576 |
-d msecs | 监视间隔时间，单位 ms，默认 1000ms |
-f freq | 当前 DDR 频率，单位 MHz（可选，工具会自动获取） |
-t test_loop | 指定测试轮次，到达后退出，默认无限次数 |
-h | 帮助信息 |
5.4 使用条件
DDR devfreq 的策略不能是 dmc_ondemand，建议切换到 userspace：
echo userspace > /sys/class/devfreq/dmc/governor
echo 780000000 > /sys/class/devfreq/dmc/userspace/set_freq
5.5 打印说明
V1.06_20200629
ddr freq: 928Mhz
CH0: ddr monitor statistics:
ddr load = 3251.23MB/s(43.76%)
[RD:1859.93MB/s(25.03%), WR:1391.30MB/s(18.72%),
ACT: 3.34, srex:0.54%, pdex:1.27%, clkstp:0.00%, lp:1.81%]
主要统计项说明：
| 打印项 | 说明 |
|---|---|
| LOAD / load | DDR 总带宽及占比 |
| RD | Read 数据带宽及占比 |
| WR | Write 数据带宽及占比 |
| ACT (access : active) | 每个 active 命令后的读写次数，越大说明访问越连续 |
| srex | self-refresh 状态时间占比 |
| pdex | power down 状态时间占比 |
| clkstp | clock stop 状态时间占比 |
| lp / LOW POWER | 低功耗状态总时间占比 |
5.6 FAQ
Q：提示 open /dev/mem error？
A：kernel 没有打开 CONFIG_DEVMEM 宏。需要在 config 中添加 CONFIG_DEVMEM=y 或在 menuconfig 中打开 /dev/mem virtual device support。
六、HAL DDR ECC（仅 HAL 系统）
> 本章仅适用于带有 HAL 的系统，不适用于 Linux 系统。
6.1 名词解释
| 缩写 | 全称 | 说明 |
|---|---|---|
| ECC | Error Correcting Code | 错误校验与纠正码 |
| SEC ECC | Single Error Correction | 单 bit 可纠正错误（CE） |
| DED ECC | Double Error Detection | 双 bit 可检测不可纠正错误（UE） |
| CE | Correctable Error | 可纠正错误 |
| UE | Uncorrectable Error | 不可纠正错误 |
6.2 简介
DDR ECC 对 DDR 数据进行错误检查和纠正。RK3568 支持 SideBand ECC，即在 DDR 数据通道旁增加一个专门存放 ECC 数据的 DDR 通道。
ECC 能力：SEC/DED（纠错 1bit，检测 2bit 错误）。
6.3 开启 DDR ECC
- 只要 DDR_ECC_DQ0-7 有贴颗粒，ECC 会自动 enable
- ECC 是 32bit DQ 数据 + 7bit ECC 数据，需要多贴一颗存放 ECC 数据的颗粒
- ECC 颗粒要求：颗粒类型、Row/Col/Bank 与 DQ0-31 颗粒一致
- 所有颗粒类型均支持 ECC
6.4 HAL 中获取 DDR ECC 信息
配置
在 hal_conf.h 中使能：
#define HAL_DDR_ECC_MODULE_ENABLED
主要 API
/* 初始化 DDR ECC 相关信息 */
HAL_Status HAL_DDR_ECC_Init(struct DDR_ECC_CNT *p);
/* 获取 DDR ECC 累计统计信息（CE 和 UE 数量） */
HAL_Status HAL_DDR_ECC_GetInfo(struct DDR_ECC_CNT *p);
使用方式
- 软件轮询：定期调用
HAL_DDR_ECC_GetInfo获取统计信息 - 硬件中断：挂载 CE/UE 中断服务子程序，出错时立即获取信息
错误信息输出示例：
[HAL WARNING] DDR ECC error: CE, 2 errors, the last is in DDR cs 0,
Row 0xa0, ChipID 0x0, BankGroup 0x0, Bank 0x5, Col 0x318, Bit position 0x10000000
6.5 DDR ECC 错误注入
用于验证 DDR ECC 功能。开启错误注入后，对特定物理地址的写操作将触发 DDR ECC CE/UE。
主要 API：
HAL_DDR_ECC_PoisonEnable— 开启错误注入HAL_DDR_ECC_PoisonDisable— 关闭错误注入
默认注入 CE（单 bit），可修改为 UE（双 bit）。
6.6 Note
- DDR ECC 会使用
[0x100000, 0x1F0000]的 DDR 空间，若未映射 MMU 需添加映射 - 错误注入的物理地址空间在 HAL 中可能未映射，需增加映射
- DDR ECC UE 会触发 CPU data abort 异常，HAL 默认无处理
参考资料
- 原始文档：
Rockchip_Developer_Guide_DDR_CN.pdfV2.5.0 - 瑞芯微官网：www.rock-chips.com